Описание предлагаемых маршрутов

Рисунок 3.2. – Расстояние между центами тяготения

Показатели скорости сведены в таблицу.

Таблица 3.3. – Показатели скорости

lоб.р – длина обратного рейса, км

Движение по маршруту № 1 аналогично движению автобусов рассматриваемого в 1 случае. Различие в том, что отсутствует остановка "Поликлиника", находящаяся на пересечении улиц партизанская – Пушкинская. Движение по маршруту № 2 аналогично описанному в первом случае. Расстояние между центрами тяготения показано на рисунке 3.2.

Технические показатели движения по маршруту сведены в таблицу 3.4.

Таблица 3.4. – Технические показатели движения автобусов.

Движение по маршруту № 1 осуществляется следующим образом. От АТП до конечной остановки "Рыбзавод" автобус проезжает аналогично описанию в случае 1. От остановки "Рыбзавод" автобус едет по улице Советской сворачивает в переулок за остановкой "КБО", затем сворачивает на улицу Партизанская и едет до конечной остановки "Больница". В обратном направлении автобус направляется по тому же маршруту.

Остановки: "Поликлиника" пересечение улиц Пушкинская с партизанской; остальные остановки по улице Партизанской аналогичны описанным в первом случае.

Расстояние между центрами тяготения показано на рисунке 3.3.

Рисунок 3.3 – Расстояние между центрами тяготения микрорайонов.

Технические показатели движения по маршруту сведены в таблицу 3.5.

Таблица 3.5. –Технические показатели движения автобусов.

Популярное на сайте:

Расчет усилий в опорах крана
Вес вращающихся частей крана: Gc=250кГ, механизма передвижения тележки Gм=200кГ, механизма поворота Gпов= 200 кГ, поворотной колонны крана Gкол= 400 кГ Вертикальная нагрузка на опорный подпятник (упорный шарикоподшипник) равна Горизонтальное усилие в опорах Момент сил трения в опорах равен: где, f= ...

Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...

Проблемы, требующие решения при работе кранов в траншеях, котлованах, у откосов, на слабых грунтах
Основной проблемой требующей решения при работе кранов на краю откоса котлована и траншеи является опасность обрушение крана в траншею или котлован, чтобы исключить опасность обрушения кран должен быть установлен с соблюдением расстояний, указанных в таблице 1.3. При глубине котлована более 5м и пр ...