Описание предлагаемых маршрутов

Рисунок 3.2. – Расстояние между центами тяготения

Показатели скорости сведены в таблицу.

Таблица 3.3. – Показатели скорости

lоб.р – длина обратного рейса, км

Движение по маршруту № 1 аналогично движению автобусов рассматриваемого в 1 случае. Различие в том, что отсутствует остановка "Поликлиника", находящаяся на пересечении улиц партизанская – Пушкинская. Движение по маршруту № 2 аналогично описанному в первом случае. Расстояние между центрами тяготения показано на рисунке 3.2.

Технические показатели движения по маршруту сведены в таблицу 3.4.

Таблица 3.4. – Технические показатели движения автобусов.

Движение по маршруту № 1 осуществляется следующим образом. От АТП до конечной остановки "Рыбзавод" автобус проезжает аналогично описанию в случае 1. От остановки "Рыбзавод" автобус едет по улице Советской сворачивает в переулок за остановкой "КБО", затем сворачивает на улицу Партизанская и едет до конечной остановки "Больница". В обратном направлении автобус направляется по тому же маршруту.

Остановки: "Поликлиника" пересечение улиц Пушкинская с партизанской; остальные остановки по улице Партизанской аналогичны описанным в первом случае.

Расстояние между центрами тяготения показано на рисунке 3.3.

Рисунок 3.3 – Расстояние между центрами тяготения микрорайонов.

Технические показатели движения по маршруту сведены в таблицу 3.5.

Таблица 3.5. –Технические показатели движения автобусов.

Популярное на сайте:

Технологический расчёт
Таблица 3.1 1 Тип АТП комплексное 2 Марки автомобилей ГАЗ-3307 КАМАЗ-532120 3 Количество автомобилей Аu = 85 ед. Аu = 90 ед. 4 Среднесуточный пробег автомобилей Lсс= 140 км Lсс=120 км 5 Количество дней работы автомобиля на линии Дрг=305 дн. Дрг=305 дн. 6 Климатический район холодный 7 Категория усл ...

Организация охраны труда на участке
Уровень травматизма, качество продукции и производительность труда во многом зависят от освещенности, температурного режима и других факторов, формирующих микроклимат в помещении. Естественное освещение осуществляется через окна, которых на участке четыре (приложение Д). Также установлены искусстве ...

Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...