Ряв паз = 3310 : (365 · 10,06) = 1
Популярное на сайте:
Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда
в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...
Информация о подходе поездов
Информация о подходе поездов и назначении в них вагонов - основа оперативного планирования и регулирования работы станции. Станции получают два вида информации: предварительную – на 12 ч. вперёд и точную - о поездах, находящихся на прилегающих к станции участках. Оба вида информации должны быть дос ...
Техническое нормирование растачивания отверстия в верхней головке шатуна
Ш1 = 29,5 мм; Ш2 = 29,75 мм; сталь 40Р; НВ 217-248; Вертикальный алмазно-расточной станок 2А78 (код 381827); Резец 2140-0001 ГОСТ 18882-73 с углом в плане =60° с пластинами из твёрдого сплава Т15К6; ℓ = 36 мм Определение основного времени , где Z – расчётная длина обработки, мм; n – частота в ...