Выбор посадок гладких цилиндрических соединений

Выбор посадок для шлицевых соединений

Находим [Sf] по формуле

=£[cm] ([3], стр. 53)

[Sf]=

[Sf]=

Принимаем по таблице 4.5 ([3]) , стр 60) Sf=182.

Следовательно данное шлицевое соединение относится к лёгкой серии, нормальные размеры соединения: 84246;

Так как соединение неподвижно, то выбираем метод центрирования по диаметру D. Для размеров D и b выбираем поля допусков и посадки по таблице 4.72 ([2] , стр 252)

Для D , для b.На не центрирующий диаметр втулки d=42 мм назначаем по таблице 4.75 ([2] , стр 253 ) поле допуска H11 не центрирующий d вала по таблице 4.71 ([2] , стр 250) d³d1=40.4 мм.

D-842468.

Значение предельных значений отклонений размеров (D,b,d) шлицевого соединения определяем по таблице 1.28 , 1.36 ([1]).

Шероховатость поверхностей для центрирующих (D и b) и не центрирующих (d) элементов соединения назначаем в соответствии с принятыми методами окончательной механической обработки по таблице 2.68 ([1]).

Вычисляем предельные зазоры в соединениях по центрирующим и не центрирующим поверхностям.

Установленные размеры характеристики деталей шлицевого соединения, шероховатость поверхностей и методы механической обработки сводим в таблицу 4.

Таблица 4.

Размерные характеристики и методы механической обработки деталей шлицевого соединения D-842468.

Популярное на сайте:

Процесс сжатия
Давление в конце процесса сжатия, МПа Для четырехтактных бензиновых двигателей pc=0,9-2,1 МПа. Температура в конце процесса сжатия, К Для бензиновых двигателей Tc=550-750 K. Средняя мольная изохорная теплоемкость свежего заряда, кДж/(кмоль×К) где . . ...

Дизель 11Д45А
Дизель тепловоза ТЭП60 является модификацией семейства среднеоборотных двухтактных дизелей типа Д40 (дн23/30), находящиеся в серийном производстве с 1959г. За это время они нашли широкое применение в различных отраслях народного хозяйства и за рубежом. Этому способствовали такие характерные способн ...

Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...