(1.6)
Расстояние, пройденное по ортодромии, рассчитываем по формуле:
(1.7)
Произведём проверку при помощи таблиц «ТВА-57», где:
Целесообразность движения по ортодромии определяется из условия
по формуле:
(1.8)
Целесообразно следовать по ортодромии 1,66%>0,5%
Определяем начальный ортодромический курс по формуле:
(1.9)
Определяем конечный ортодромический курс по формуле:
(1.10)
Схождение меридианов определяем по формуле:
(1.11)
Определяем долготу точки пересечения ортодромии с экватором по формуле:
(1.12)
Для удобства вычислений прологарифмируем выражение 1.12:
Курс в точке пересечения ортодромии с экватором определяем по формуле:
(1.13)
Прологарифмировав выражение 1.13 получим:
(1.14)
Таблица 1.9
Промежуточных точек через 10°
|
Заданная долгота (li) |
(li-lo); lo= |
lg sin (li-lo) |
lg ctg Ko Ко = |
lg tg ji |
Широта промежуточной точки (ji) |
|
60° |
38°30’4 |
9,79421 |
9,79784 |
9,59205 |
21°21,0´S |
|
70° |
48°30’4 |
9,87452 |
9,79784 |
9,67236 |
25°11,2´S |
|
80° |
58°30’4 |
9,93082 |
9,79784 |
9,72866 |
28°09,8´S |
|
90° |
68°30’4 |
9,96872 |
9,79784 |
9,76656 |
30°17,6´S |
|
100° |
78°30’4 |
9,99121 |
9,79784 |
9,78905 |
31°36,1´S |
|
110° |
88°30’4 |
9,99985 |
9,79784 |
9,79770 |
32°06,8´S |
Популярное на сайте:
Характеристика зоны диагностирования
Техническое диагностирование – комплекс работ (операций) по определению с установленной точностью технического состояния. Диагностирование является одним из элементов процесса технического обслуживания и ремонта. Оно осуществляется с использованием специального оборудования без разборки объекта диа ...
Техническое нормирование растачивания отверстия в верхней головке шатуна
Ш1 = 29,5 мм; Ш2 = 29,75 мм; сталь 40Р; НВ 217-248; Вертикальный алмазно-расточной станок 2А78 (код 381827); Резец 2140-0001 ГОСТ 18882-73 с углом в плане =60° с пластинами из твёрдого сплава Т15К6; ℓ = 36 мм Определение основного времени , где Z – расчётная длина обработки, мм; n – частота в ...
Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда
в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...