Популярное на сайте:
Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда
в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...
Cometto
История компании "INDUSTRIE COMETTO S.p.a." начинается с 1959 года, когда открылась первая мастерская по производству мостовых кранов, которая тогда называлась Officine Cometto, по фамилии основателя. Затем, в 1970 году это название трансформировалось в Cometto S.p.A Уже в 1962 году завод ...
Взаимодействие шины с дорогой и факторы, определяющие ресурс шин
Процессы в пятне контакта. На шину при движении действуют нормальная нагрузка G и касательная сила Q. Они вызывают в пятне контакта шины с дорогой площадью F удельное давление q =G/F и касательное напряжение t = Q/F. Отношение t к q характеризует напряженность элемента шины в контакта =t/ q. Если о ...