Конструктивные особенности устройства контактной сети с экранированным и усиливающим проводами

Эксплуатация контактной сети с ЭУФ аналогична эксплуатации типовой контактной сети с усиливающими проводами. Однако, поскольку ЭП лишь на расстоянии 200 м от места его присоединения к рельсам может выполнять функции группового заземляющего, то за пределами этого расстояния одновременно с отключением заземлением контактной сети переносными заземляющими штангами заземляется на рельсы у места работ также и провод ЭП. При этом для исключения щунтирования заземляющей штангой полуобмотки дросселя-трансформатора ЭП у места присоединения его к рельсам выполняется секционированным посредством съемных перемычек, которые на время работ и заземления провода ДП на рельсы заземляющими штангами снимаются для исключения нарушения рельсовой цепи СЦБ.

Снятие перемычек производится при помощи предварительно установленных переносных шунтирующих штанг.

Ввиду достаточного количества путей на станциях и сечениях контактной сети с проводимостью не менее перегонной, провода ЭУФ в пределах станций не прокладываются.

Популярное на сайте:

Анализ существующих конструкций солидолонагнетателей
Надежность и долговечность работы агрегатов и автомобиля в целом во многом зависит от своевременности выполнения смазочных работ, качества применяемых масел и смазок. Во время работы автомобиля масло в картерах двигателя и механизмов трансмиссии, а также смазка в открытых узлах трения претерпевают ...

Навигационное оборудование
Таблица 1.6 Технические средства навигации, имеющиеся на судне Прибор Тип, марка Кол-во Год выпуска Место установки Магнитный компас «SH – 165A» 1 1994 Пеленгаторная палуба Гирокомпас «Sperry Marine SR-208» 1 1994 Нав. мостик Лаг «DS-80 Furuno» 1 1994 Носовая шахты лага, Нав. мостик Эхолот «FE-700 ...

Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...