I1=
, А;
где R2 - сопротивление вторичной обмотки импульсного трансформатора;
R2 =
, Ом;
где Rн - сопротивление транзистора в насыщенном состоянии;
- коэффициент усиления транзистора;
Ом.
А;
Популярное на сайте:
Процесс сжатия
Давление в конце процесса сжатия, МПа Для четырехтактных бензиновых двигателей pc=0,9-2,1 МПа. Температура в конце процесса сжатия, К Для бензиновых двигателей Tc=550-750 K. Средняя мольная изохорная теплоемкость свежего заряда, кДж/(кмоль×К) где . . ...
Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда
в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...
Выбор оборудования, режущего и измерительного инструмента
Для зачистки металла вокруг трещины или пробоины по экономическим параметрам и, исходя из размера партии, целесообразно использовать бормашину, шлифмашинку, а также различные инструменты: стальная щетка, шабер, напильник, свела, зубило, молоток, механические ножницы. Для заварки трещин и наложения ...