Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзистора

Современный транспорт » Контактно-транзисторная система зажигания автомобиля » Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзистора

Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой:

, с

где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные);

fг - граничная частота усиления транзистора;

Iбн. - ток базы в режиме насыщения;

Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных данных);

;

Расчет емкости конденсатора первичной цепи

Емкость конденсатора первичной цепи рассчитывается по формуле:

, Ф

где Iк. мах. - максимально допустимый ток коллектора в момент разрыва для заданного транзистора (исх. данные);

tсп. - время жизни неосновных носителей заряда (п.2.3);

Uк. э. мах. - максимально допустимое напряжение для заданного транзистора.

Uб. - напряжение питания системы.

;

Эквивалентная емкость первичной цепи катушки зажигания рассчитывается по формуле:

С1э. = С1+ (С2+Сн) ·К2, Ф

где С1 - емкость конденсатора в первичной цепи;

С2 - емкость вторичной обмотки катушки зажигания;

С2= (40-50) ·10-12 Ф, выбираем С2=50·10-12Ф;

Сн - емкость вторичной цепи при постоянном экранировании;

Сн = 55·10-12 Ф, поскольку система неэкранирована;

С1э=0,053·10-6+ (50·10-12+55·10-12) ·4452=20,8 мкФ.

Популярное на сайте:

Главное меню

Copyright © 2024 - All Rights Reserved - www.transpostand.ru