Расчетно-силовая схема крыла

На основании того, что размах крыла гораздо больше длины хорды, и тем более строительной высоты, можно сделать допущение о том, что крыло представляет собой балку. Следовательно, расчетно-силовая схема крыла – это балка, опирающаяся на две опоры, которыми являются корневые нервюры крыла (поэтому расстояние между опорными балками равно ). Балка нагружена распределенными нагрузками аэродинамических и массовых сил, которые мы заменили на общую распределенную нагрузку , а также сосредоточенными силами , Y, R.

Наибольшую опасность для крыла представляет изгибающий момент , затем крутящий момент , а потом уже поперечная сила . Поэтому расчет напряжений в первую очередь следует проводить там, где максимален.

Построение эпюр изгибающего момента , крутящего момента , и поперечной силы невозможно без предварительного вычисления реакций опор и .

Для упрощения расчетов вычислим сначала составляющие реакции от симметричных и несимметричных, распределенных и сосредоточенных сил, а затем с учетом их знаков сложим, используя принцип суперпозиции. В нашем случае несимметричные нагрузки отсутствуют, т.к. посадка происходит без отклонения элеронов при выпущенных обоих стоек шасси, закрылках и предкрылках.

Составим уравнение равновесия и найдем искомое значение реакции опор у корневой нервюры:

=((0)+())/2-шg+ R/2=0.5 (305–701) – 449.8+4414/2=3553,017 [H].

Популярное на сайте:

Определение напряжений в сечении крыла
Критерием работоспособности конструкции (крыла, фюзеляжа или др.), то есть близости ее к состоянию разрушения или необратимых деформаций, является величина напряжений, возникающих в силовых элементах конструкции от действия на неё эксплуатационных нагрузок: изгибающего, крутящего моментов и попереч ...

Расчет тока вторичной обмотки импульсного трансформатора
I2 =, А; где Ip. max - макс. ток разрыва; R2 - сопротивление вторичной обмотки импульсного трансформатора; Rн - сопротивление транзистора в насыщенном состоянии; - коэффициент усиления транзистора; I2 = А; Расчет коэффициента трансформации импульсного трансформатора Коэффициент трансформации импуль ...

Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...