Популярное на сайте:
Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда
в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...
Охрана труда и технике безопасности
Охрана труда - это система законодательных актов и соответствующих им социально-экономических, технических, гигиенических и организационных мероприятий, обеспечивающих безопасность, сохранение здоровья и работоспособность человека в процессе труда. Охрана труда - это дисциплина, занимающаяся выявле ...
Расчет припусков на механическую обработку
Минимальный припуск на обработку для одного перехода при подготовке поверхности для корпусных деталей определяют по формуле: (2) где: - глубина видимых дефектов поверхностного слоя. В расчетах принимаем = (0,07 – 0,15 мкм). Т – глубина поврежденного слоя (учитывается только при наличии цветов повер ...