Популярное на сайте:
Расчет времени рассасывания неосновных носителей заряда
в базе транзистора
Время рассасывания неосновных носителей заряда определяется следующей формулой: , с где β - коэффициент усиления транзистора (исх. данные); fг - граничная частота усиления транзистора; Iбн. - ток базы в режиме насыщения; Iбр. - ток базы в режиме рассасывания (все аргументы указаны в исходных д ...
Построение маршрутных схем перемещения вагонов
Для построения маршрутных схем перемещения вагонов начертим схему заданной станции в "рыбках" с указанием расположения обводных путей и пунктов местной работы. ...
Расчет режимов резания и норм штучного времени
Расчет режимов резания Исходные данные: Материал детали – сталь 45 ГОСТ 1050-88. Твердость заготовки 156…229 НВ. Предел прочности материала на растяжение МПа. Вид заготовки – поковка. Операция 005. Токарная. Оборудование – токарный 4-х шпиндельный полуавтомат модели 1Б240П-4К. 1-я позиция. Поперечн ...